众所周知，目前硅基芯片的制造，离不开光刻工艺。

而光刻工艺，则离不开光刻机，而全球目前仅4家半导体芯片制造的光刻机厂商，分别是ASML、尼康、佳能、上海微电子。

其中ASML最牛，拥有EUV光刻机、浸润式光刻机、干式光刻机等各种高、中低端光刻机，份额高达80%+。

(资料图片仅供参考)

尼康第二牛，拥有除EUV光刻机之外的其它光刻机，最高水平是浸润式光刻机。佳能排第三，不过最高水平是干式光刻机。而上海微电子实际也能生产干式光刻机，但分辨率只有90nm，相对最差。

干式光刻机最高只能支持65nm芯片，浸润式光刻机最高能达到7nm工艺，而7nm工艺之后则需要EUV光刻机。

所以目前，国内的光刻机，基本上都是从ASML、尼康、佳能进口，毕竟上海微电子的光刻机，确实差那么一丢丢，从上面的市场份额图也可以看到，国产光刻机的份额没列出来，因为基本接近于0，没有列的必要。

在这样的情况之下，光刻机已经严重拖了国产芯片产业的后腿，也导致目前美国拿光刻机卡着国内的芯片产业。

比如EUV不卖到中国来，而浸润式光刻机也受限， ASML的浸润式光刻机中，先进的两款不卖，只有一款落后的可以卖。而尼康的光刻机，同样的先进的不卖。

也在这样的情况之下，大家都认为，国产光刻机必须突破，要早点开发出EUV光刻机出来才行，才能够真正打破垄断，让禁令成为废纸。

不过，从目前的情况来看，国产芯片制造，要绕过EUV的可能性更高，为什么呢？因为有了一项新技术，那就是NIL纳米压印。

EUV光刻机是非常难的，ASML已经将产业链捆绑在一起了，其它厂商很难避开EUV产业链，生产出EUV光刻机出来。

但NIL纳米压印技术不同，没有被谁捆绑住，同时门槛相对较低，更重要的是NIL压印技术，目前佳能已经进度良好，佳能表示到2025年时实现5nm工艺。

而国内也有公司，目前虽然没有达到佳能的水准，但表现也不错，比如天仁微纳的纳米压印设备，已经可以在150／300mm基底面积上实现高精度（优于10nm ）了。

可见，纳米压印技术，在国内很可能比EUV光刻机发展的更快，也许当国产EUV光刻机还没影时，NIL纳米压印技术，就进入5nm了。

所以正如我标题所言，国产芯片制造工艺，或要绕过EUV光刻机了，不信，大家等着瞧，毕竟佳能也是这么想的。

原文标题:国产芯片制造工艺，或要绕过EUV光刻机了，已有重大进展